单向可控硅
深圳市泉光半导体有限公司
BT169
■用 途
广泛应用于各种脉冲点火器、负离子
发生器、小型马达控制器、漏电保护
■特 征
较低的通态压降，灵敏一致的触发特性，
可靠性高。
■极限值
1=K 2=G 3=A
外型
TO-92
名 称 | 符 号 | 规范值 | 单 位 | 测 试 条 件 |
重复峰值阻断电压 | VDRM | >600 | V | IDRM=20μA |
反向重复峰值电压 | VDRM | >600 | V | IRRM=20μA |
通态电流 | IT(RMS) | 1.0 | A | 正弦波, 180 度 |
浪涌电流 | ITSM | 10 | A | 正弦波,60HZ |
结温 | Tj | 125 | ℃ | |
储存温度 | Tstg | -40~150 | ℃ |
■电特性(Ta=25℃)
名 称 | 符 号 | 测 试 条 件 | Min | Max | 单位 |
重复峰值阻断泄漏电流 | I DRM | VD=VDRM | ---- | 0.1 | mA |
通态电压 | VTM | IT= 1.0A | ---- | 1.7 | V |
门极触发电流 | I GT | VD= 12V, R =100ΩL | ----- | 120 | uA |
门极触发电压 | VGT | VD= 12V, R =100ΩL | 0.9 | V | |
门极不触发电压 | VGD | VD= 1/2 VDRM | 0.2 | ---- | V |
断态电压临界上升率 | dvD/dt | VDM=67%VDRM Gate open Tj= 110℃ | 10 |
